全球第二大內(nèi)存芯片生產(chǎn)商、韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體（Hynix Semiconductor）周四表示，將投資2.30億美元，在中國建立一家芯片生產(chǎn)廠，支持其與意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）總投資達(dá)20美元的合作計劃。現(xiàn)代半導(dǎo)體在提交給韓國證交所的文件中稱，工廠將挨著其與意法半導(dǎo)體在中國成立的合資企業(yè)興建。
現(xiàn)代半導(dǎo)體，聯(lián)合意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）已經(jīng)開始在江蘇無錫投資建造一個存儲器前端制造工廠。新工廠主要用于生產(chǎn)DRAM和NAND閃存。這個工廠主要針對中國這塊世界發(fā)展最快的半導(dǎo)體市場。
現(xiàn)代半導(dǎo)體的發(fā)言人表示，新投資的這個工廠Hynix Semiconductor Wuxi將參與一部分合資企業(yè)的生產(chǎn)任務(wù)，和在將來量產(chǎn)時加大芯片產(chǎn)能�，F(xiàn)代和意法半導(dǎo)體Hynix-STMicro合作的第一條8英寸晶圓生產(chǎn)線今年7月可以投入使用，全部生產(chǎn)流程借鑒現(xiàn)代半導(dǎo)體在韓國的生產(chǎn)技術(shù)，而12英寸晶圓生產(chǎn)線最快在2006年底投產(chǎn)。
現(xiàn)代半導(dǎo)體選擇在中國建廠好處不少，不單可以 避免受到韓國的出口限制和在日本、美國等地的懲罰性關(guān)稅，而且有利于節(jié)省公司成本和進(jìn)一步鞏固在中國市場的地位。就在今年1月20日， 為了回應(yīng)韓國政府向現(xiàn)代半導(dǎo)體公司提供的低息融資補(bǔ)貼，日本就宣布將向出口到日本的現(xiàn)代半導(dǎo)體公司制造的DRAM儲存芯片征收27.2%的補(bǔ)償關(guān)稅，在美國現(xiàn)代也是受到這里懲罰性關(guān)稅的打壓。
消息公布后，現(xiàn)在半導(dǎo)體在韓國的股票市場走高，升0.65％到30，800韓元。
